商品類型MOS(場效應(yīng)管)
漏源電壓(Vdss)-12V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)6A
柵源極閾值電壓1V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻30mΩ @ 6A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.8W
類型P溝道
NCE2333Y
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| NCE2333Y | NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | NCEPOWER[Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd] | 257.56 Kbytes | 共7頁 | 產(chǎn)品購買 |
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