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MUN5231T1
規(guī)格信息:

標準包裝:3,000

類別:分立半導體產品

家庭:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

系列:-

包裝:帶卷(TR)

晶體管類型:NPN - 預偏壓

電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基底(R1)(歐姆):2.2k

電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):2.2k

不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):8 @ 5mA,10V

不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 5mA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

頻率 - 躍遷:-

功率 - 最大值:202mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SC-70,SOT-323

供應商器件封裝:SC-70-3(SOT323)

介紹圖MUN5231T1
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
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MUN5231T1GDigital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網127.8 Kbytes共10頁MUN5231T1G的PDF文件地址 MUN5231T1G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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