渠道類型:N
配置:Dual
外形尺寸:108.5 x 62.5 x 20.5mm
身高:20.5mm
長度:108.5mm
最大集電極發(fā)射極電壓:1200 V
最大連續(xù)集電極電流:150 A
最大柵極發(fā)射極電壓:±20V
最高工作溫度:+150 °C
最大功率耗散:833 W
最低工作溫度:-55 °C
安裝類型:Screw
包裝類型:7DM-3
引腳數(shù):7
Switching Speed:70kHz
寬度:62.5mm
集電極電流(DC ):200 A
集電極 - 發(fā)射極電壓:1200 V
工作溫度(最大):150C
工作溫度(最小值):-55C
工作溫度分類:Military
Gate to Emitter Voltage (Max):?20 V
弧度硬化:No
MPMD150B120RH
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MPMD150B120RH | NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module | MGCHIP[MagnaChip Semiconductor.] | 1120.9 Kbytes | 共7頁 | 產(chǎn)品購買 |
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