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MPMD150B120RH
規(guī)格信息:

渠道類型:N

配置:Dual

外形尺寸:108.5 x 62.5 x 20.5mm

身高:20.5mm

長度:108.5mm

最大集電極發(fā)射極電壓:1200 V

最大連續(xù)集電極電流:150 A

最大柵極發(fā)射極電壓:±20V

最高工作溫度:+150 °C

最大功率耗散:833 W

最低工作溫度:-55 °C

安裝類型:Screw

包裝類型:7DM-3

引腳數(shù):7

Switching Speed:70kHz

寬度:62.5mm

集電極電流(DC ):200 A

集電極 - 發(fā)射極電壓:1200 V

工作溫度(最大):150C

工作溫度(最小值):-55C

工作溫度分類:Military

Gate to Emitter Voltage (Max):?20 V

弧度硬化:No

介紹圖MPMD150B120RH
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
MPMD150B120RHNPT & Rugged Type 1200V IGBT Module MGCHIP[MagnaChip Semiconductor.]MGCHIP[MagnaChip Semiconductor.]的LOGO-天天IC網(wǎng)1120.9 Kbytes共7頁MPMD150B120RH的PDF文件地址 MPMD150B120RH的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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