通道類(lèi)型：N
最大連續(xù)漏極電流：20 A
最大漏源電壓：600 V
最大漏源電阻值：190 m0hms
最大柵閾值電壓：4V
最大柵源電壓：-30 V、+30 V
封裝類(lèi)型：I2PAK (TO-262)
安裝類(lèi)型：通孔
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類(lèi)別：功率 MOSFET
最大功率耗散：154 W
正向二極管電壓：1.4V
尺寸：10.29 x 4.63 x 11.05mm
每片芯片元件數(shù)目：1
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：51 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：1630 pF @ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：146 ns
典型接通延遲時(shí)間：32 ns
寬度：4.63mm
高度：11.05mm
長(zhǎng)度：10.29mm
最高工作溫度：+150 °C
最低工作溫度：-55 °C
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs