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MMBT3416LT3
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)

配置:Single

晶體管極性:NPN

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:40 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V

最大直流電集電極電流:0.1 A

最大工作溫度:+ 150 C

商標:Diodes Incorporated

直流集電極/Base Gain hfe Min:75 at 2 mA at 4.5 V

最小工作溫度:- 55 C

Pd-功率耗散:300 mW

介紹圖MMBT3416LT3
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
MMBT3416LT3General Purpose Amplifier MOTOROLA[Motorola, Inc]MOTOROLA[Motorola, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)297.03 Kbytes共8頁MMBT3416LT3的PDF文件地址2SC4617,MSB1218ART1,MMBT4403,NTE296,NTE48,MSC82003,2SA1955,FMBM5401,FMBS5401,HN2A01FU MMBT3416LT3的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
MMBT3416LT3General Purpose Amplifier(NPN Silicon) ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)297.03 Kbytes共8頁MMBT3416LT3的PDF文件地址NTE46,NTE48,2SC4177,2SC1815,2SC4617,MMBTA20LT1,2N5550,2N5551,NTE123,NTE85 MMBT3416LT3的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
MMBT3416LT3GGeneral Purpose Amplifier ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)236.13 Kbytes共7頁MMBT3416LT3G的PDF文件地址 MMBT3416LT3G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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