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MMBT2131T1
規(guī)格信息：

產品種類Transistors Bipolar (BJT)

晶體管極性PNP

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO30 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO5 V

最大直流電集電極電流0.7 A

直流集電極/Base Gain hfe Min150 at 100 mA at 3 V

配置Single

最大工作溫度+ 150 C

安裝風格SMD/SMT

封裝 / 箱體SC-74-6

封裝Reel

集電極連續(xù)電流0.7 A

最小工作溫度- 55 C

功率耗散342 W

工廠包裝數量3000

介紹圖MMBT2131T1
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
MMBT2131T1General Purpose Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網66.33 Kbytes共4頁MMBT2131T1的PDF文件地址 MMBT2131T1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
MMBT2131T1General Purpose Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網115.58 Kbytes共4頁MMBT2131T1的PDF文件地址NTE2416,NTE49,BC846T,MSC81010,MSC83301,EMH2,UMH11N,IMD23,EMT3,L8050LT1 MMBT2131T1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
MMBT2131T1_06General Purpose Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網66.33 Kbytes共4頁MMBT2131T1_06的PDF文件地址 MMBT2131T1_06的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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