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MGP4N60ED
規(guī)格信息：

Series*

PackageBulk

IGBT Type-

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)-

Current - Collector (Ic) (Max)-

Current - Collector Pulsed (Icm)-

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic-

Power - Max-

Switching Energy-

Input Type-

Gate Charge-

Td (on/off) @ 25°C-

Test Condition-

Reverse Recovery Time (trr)-

Operating Temperature-

Mounting Type-

Package / Case-

Supplier Device Package-

介紹圖MGP4N60ED
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
MGP4N60EDInsulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網146.13 Kbytes共6頁MGP4N60ED的PDF文件地址MGV12N120D,MGW12N120D,MGW20N60D,MGY20N120D,MGY25N120D,MGY30N60D,MGY40N60D,MGW12N120D,MGY20N120D,MGY25N120D MGP4N60ED的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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