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MEM2301
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商品目錄MOS(場效應(yīng)管)

介紹圖MEM2301
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MEM2301P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1036.76 Kbytes共9頁MEM2301的PDF文件地址 MEM2301的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
MEM2301XG連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：2.8A 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：110mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700mW 類型：P溝道MICRONE(南京微盟)MICRONE(南京微盟)的LOGO-天天IC網(wǎng)306.17 Kbytes共6頁MEM2301XG的PDF文件地址 MEM2301XG的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
MEM2301XG-NMICRONE(南京微盟)MICRONE(南京微盟)的LOGO-天天IC網(wǎng)316.58 Kbytes共7頁MEM2301XG-N的PDF文件地址 MEM2301XG-N的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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