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ME15N10
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應管)

漏源電壓（Vdss）100V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）14.7A(Tc)

柵源極閾值電壓3V @ 250uA

漏源導通電阻100mΩ @ 8A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）34.7W(Tc)

類型N溝道

介紹圖ME15N10
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ME15N10N-Channel 100 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網1009.21 Kbytes共7頁ME15N10的PDF文件地址 ME15N10的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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ME15N10-GSuper high density cell design for extremely low RDS(ON) ETC2[List of Unclassifed Manufacturers]ETC2[List of Unclassifed Manufacturers]的LOGO-天天IC網1000.83 Kbytes共4頁ME15N10-G的PDF文件地址 ME15N10-G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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