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MDP15N60GTH
規(guī)格信息:

通道類型:N

最大連續(xù)漏極電流:15 A

最大漏源電壓:600 V

最大漏源電阻值:400 m0hms

最大柵閾值電壓:5V

最大柵源電壓:-30 V、+30 V

封裝類型:TO-220

安裝類型:通孔

引腳數(shù)目:3

晶體管配置:

通道模式:增強(qiáng)

最大功率耗散:231.4 W

典型接通延遲時(shí)間:57 ns

典型關(guān)斷延遲時(shí)間:137 ns

典型輸入電容值@Vds:2311 pF @ 25 V

典型柵極電荷@Vgs:49 nC @ 10 V

晶體管材料:Si

每片芯片元件數(shù)目:1

最低工作溫度:-55 °C

寬度:4.83mm

長度:10.67mm

高度:16.51mm

正向跨導(dǎo):11.5S

正向二極管電壓:1.4V

尺寸:10.67 x 4.83 x 16.51mm

最高工作溫度:+150 °C

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖MDP15N60GTH
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MDP15N60GTHN-Channel MOSFET 600V, 15A, 0.40(ohm) MGCHIP[MagnaChip Semiconductor.]MGCHIP[MagnaChip Semiconductor.]的LOGO-天天IC網(wǎng)1247.54 Kbytes共8頁MDP15N60GTH的PDF文件地址 MDP15N60GTH的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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