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MB85R4M2TFN-G-ASE1
規(guī)格信息：

存儲器類型：非易失

存儲器格式：FRAM

技術(shù)：FRAM（鐵電體 RAM）

存儲容量：4Mb （256K x 16）

寫周期時間 - 字，頁：150ns

訪問時間：150ns

存儲器接口：并聯(lián)

電壓 - 電源：1.8 V ~ 3.6 V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：44-TSOP

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖MB85R4M2TFN-G-ASE1
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
MB85R4M2TFN-G-ASE1FRAM chip consisting of 262,144 words??16 bits of nonvolatile memory FUJITSU[Fujitsu Component Limited.]FUJITSU[Fujitsu Component Limited.]的LOGO-天天IC網(wǎng)57.17 Kbytes共2頁MB85R4M2TFN-G-ASE1的PDF文件地址 MB85R4M2TFN-G-ASE1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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