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LP4435T1G
規(guī)格信息：

封裝/外殼：SOP-8

VDSS（V）：30

ID（A）：9.5

VGS(th)Min(V)：1

VGS(th)Max(V)：3

RDS(on) (m?)：37

@VGS(V)/IDS(A)：4.5/6

Polarity：P-Channel

無鉛情況/RoHs：否

介紹圖LP4435T1G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
LP4435T1GP-Channel 30-V (D-S) MOSFET Low rDS(on) trench technology LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO-天天IC網(wǎng)591.6 Kbytes共5頁LP4435T1G的PDF文件地址 LP4435T1G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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