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LMBD914LT1G
規(guī)格信息：

封裝形式Package：SOT-23

平均整流電流Io：200mA

最大反向電壓VR：100V

反向恢復時間trr：4ns

反向漏電流IR：5uA

正向壓降VF：1V

封裝/外殼：SOT-23

VR(V)：100

Io(mA)：200

VFMax((V)：1

IRMax(μA)：5

trr(ns)：4

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖LMBD914LT1G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
LMBD914LT1GHigh-Speed Switching DIODE LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO-天天IC網(wǎng)58.51 Kbytes共3頁LMBD914LT1G的PDF文件地址BAS216,DSE010,BAS40W,BAW56,MMBD914,DSE015,BAS70-04S,BAW56S,DCA010,DSH015 LMBD914LT1G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
LMBD914LT1GHigh.Speed Switching Diode TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)128.42 Kbytes共1頁LMBD914LT1G的PDF文件地址 LMBD914LT1G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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