Rohs:Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
配置 :Half Bridge
Input 型 :Non-Inverting
延遲時(shí)間 :28ns
電流 - 峰值:1.2A
配置數(shù):1
輸出數(shù) :2
高壓側(cè)電壓 - 馬克斯(引導(dǎo)):5.2V
- 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V
操作溫度 :-40°C ~ 125°C
安裝類型 :Surface Mount
包/盒 :10-WDFN Exposed Pad
供應(yīng)商器件封裝:10-LLP-EP (4x4)
包裝材料 :Tape & Reel (TR)
輸入邏輯電平:TTL
安裝:Surface Mount
工作溫度范圍:-40C to 125C
包裝類型:LLP EP
封裝:Tape and Reel
引腳數(shù):10
上升時(shí)間:4 ns
啟動(dòng)時(shí)間(最大值):2 us
傳播延遲時(shí)間:30 ns
驅(qū)動(dòng)器數(shù):2
工作溫度分類:Automotive
關(guān)斷延遲時(shí)間:2 ms
弧度硬化:No
驅(qū)動(dòng)程序配置:Non-Inverting
驅(qū)動(dòng)器類型:High and Low Side
工作電源電壓(典型值):5 V
工作電源電壓(最小值):4.5 V
工作電源電壓(最大值):5.5 V
LM5113SD/NOPB
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LM5113SD/NOPB | LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs | TI1[Texas Instruments] | 2435.11 Kbytes | 共24頁 | 產(chǎn)品購買 |
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