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制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

技術(shù):Si

Id-連續(xù)漏極電流:12 A

Vds-漏源極擊穿電壓:80 V

增益:17 dB

輸出功率:80 W

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:M243

封裝:Bulk

配置:Single Common Source

工作頻率:1 MHz to 1 GHz

系列:LET9070CB

類型:RF Power MOSFET

商標(biāo):STMicroelectronics

產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors

工廠包裝數(shù)量:50

子類別:MOSFETs

Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, 15 V