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LDTD123TLT1G
規(guī)格信息：

Device Marking：E1

Ic(mA)：500

Vceo(V)：40

hFE_Ic_Min：100

hFE_Ic_Max：600

hFE_Ic(mA)：50

R1(k?)：2.2

R2(k?)：∞

Polarity：NPN

封裝/外殼：SOT-23

Qualified to AECQ101：Y

封裝/外殼：SOT-23

Ic(mA)：500

VCEO(V)：40

hFEMin：100

R1(KΩ)：2.2

R2(KΩ)：∞

Polarity：NPN

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖LDTD123TLT1G
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
LDTD123TLT1GNPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO-天天IC網343.25 Kbytes共3頁LDTD123TLT1G的PDF文件地址 LDTD123TLT1G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
LDTD123TLT1G_15Bias Resistor Transistor LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO-天天IC網343.25 Kbytes共3頁LDTD123TLT1G_15的PDF文件地址 LDTD123TLT1G_15的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
LDTD123TLT1G相關型號規(guī)格信息
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