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LBZT52B10T1G
規(guī)格信息：

Device Marking：05

Vz(V)_Min：9.77

Vz(V)_Nom：(C706+E706)/2

Vz(V)_Max：10.21

Iz(mA)：5

PD(mW)：500

封裝/外殼：SOD-123

Qualified to AECQ101：Y

封裝/外殼：SOD-123

Vz(V)Min：9.77

Vz(V)Nom：-

Vz(V)Max：10.21

Iz(mA)：5

PD(mW)：500

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖LBZT52B10T1G
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LBZT52B10T1G500mw Power Dissipation LEIDITECH[Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd]LEIDITECH[Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)509.7 Kbytes共3頁LBZT52B10T1G的PDF文件地址 LBZT52B10T1G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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