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L9012QLT1G
規(guī)格信息：

封裝形式Package：SOT-23

極性Polarity：PNP

集電極最大允許電流Ic：500mA

集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO：20V

電流放大倍數最小值hFE_Min：150

電流放大倍數最大值hFE_Max：300

封裝/外殼：SOT-23

Ic(mA)：500

VCEO(V)：20

hFEMin/Max：150/300

Ft(MHz)：100

Polarity：PNP

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖L9012QLT1G
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L9012QLT1GGeneral Purpose Transistors PNP Silicon LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO-天天IC網55.04 Kbytes共2頁L9012QLT1G的PDF文件地址 L9012QLT1G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
L9012QLT1GGeneral Purpose Transistors LEIDITECH[Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd]LEIDITECH[Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd]的LOGO-天天IC網273.81 Kbytes共2頁L9012QLT1G的PDF文件地址 L9012QLT1G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
L9012QLT1G_15General Purpose Transistors LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO-天天IC網85.77 Kbytes共2頁L9012QLT1G_15的PDF文件地址 L9012QLT1G_15的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
L9012QLT1G_15General Purpose Transistors LANSDALE[LANSDALE Semiconductor Inc.]LANSDALE[LANSDALE Semiconductor Inc.]的LOGO-天天IC網85.77 Kbytes共2頁L9012QLT1G_15的PDF文件地址 L9012QLT1G_15的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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