FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：25nC @ 5V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：880pF @ 25V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），68W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 16A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：D2PAK
封裝/外殼：D2PAK
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：30 A
最大漏源電壓：55 V
最大漏源電阻值：35 m0hms
最大柵閾值電壓：2V
最小柵閾值電壓：1V
最大柵源電壓：-16 V、+16 V
封裝類型：D2PAK (TO-263)
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：3.8 W
尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm
最低工作溫度：-55 °C
寬度：9.65mm
每片芯片元件數(shù)目：1
系列：HEXFET
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：25 nC @ 5 V
典型輸入電容值@Vds：880 pF@ 25 V
典型關斷延遲時間：21 ns
典型接通延遲時間：8.9 ns
高度：4.83mm
最高工作溫度：+175 °C
長度：10.67mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs