FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：20A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：47nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：660pF @ 50V
功率耗散（最大值）：79W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：105 毫歐 @ 3.4A，10V
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
封裝/外殼：DPAK
通道類型：P
最大連續(xù)漏極電流：20 A
最大漏源電壓：55 V
最大漏源電阻值：105 m0hms
最大柵閾值電壓：1V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：DPAK (TO-252)
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：79000 mW
最低工作溫度：-40 °C
最高工作溫度：+175 °C
每片芯片元件數(shù)目：1
長度：6.73mm
高度：2.39mm
系列：HEXFET
寬度：6.22mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：31 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：660 pF@ 50 V
典型關(guān)斷延遲時間：21 ns
典型接通延遲時間：9.5 ns
尺寸：6.73 x 6.22 x 2.39mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs