FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：9.9A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：66nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1800pF @ 25V
Vgs（最大值）：±10V
功率耗散（最大值）：40W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：180 毫歐 @ 5.9A，5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片
封裝形式Package：TO-220-3
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：200V
連續(xù)漏極電流ID：9.9A
漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)：180mOhms
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs