FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：78A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：54nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：5110pF @ 15V
功率耗散（最大值）：140W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.5 毫歐 @ 40A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
封裝/外殼：TO220
安裝風(fēng)格：ThroughHole
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：150A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：2.5mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：1.35V
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：54nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+175C
配置：Single
Pd-功率耗散：140W
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：StrongIRFET
封裝：Tube
高度：15.65mm
長(zhǎng)度：10mm
晶體管類型：1N-Channel
寬度：4.4mm
正向跨導(dǎo) - 最小值：190S
下降時(shí)間：36ns
上升時(shí)間：92ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：25ns
典型接通延遲時(shí)間：23ns
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs