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產(chǎn)品種類MOSFET

晶體管極性N-Channel

汲極/源極擊穿電壓100 V

閘/源擊穿電壓+/- 20 V

漏極連續(xù)電流9.2 A

電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）0.22 Ohms

配置Single

最大工作溫度+ 175 C

安裝風(fēng)格Through Hole

封裝 / 箱體TO-220

封裝Tube

下降時(shí)間9 ns

正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）7.7 S

最小工作溫度- 55 C

功率耗散49 W

上升時(shí)間10 ns

工廠包裝數(shù)量50

典型關(guān)閉延遲時(shí)間19 ns