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IRL2910S PDF文件_規(guī)格信息

IRL2910S
規(guī)格信息：

封裝/外殼：D2PAK

Packing Type：TUBE

Moisture Level：1

RDS (on) max：26.0m?

VDS max：100.0V

ID max：39.0A

Package：D2PAK (TO-263)

Tj max：175.0°C

QG：93.3nC

Budgetary Price ?€/1k：1.1

Ptot max：3.8W

Polarity：N

Qgd：54.0nC

VGS max：16.0V

Mounting：SMD

RthJC max：0.75K/W

ID (@ TC=25°C) max：55.0A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IRL2910S

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購買
IRL2910S	HEXFET POWER MOSFET	IRF[International Rectifier]	344.25 Kbytes	共10頁	IRF7341,IRLR2905,IRF7494,IRL3303,IRL2703S,IRLL2703,IRFIZ24G,IRL3202,IRL3716,IRF7328	產(chǎn)品購買
IRL2910S	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	189.29 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
IRL2910SPBF	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF[International Rectifier]	690.5 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRL2910SPBF	HEXFET?? Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	689.54 Kbytes	共11頁	IRFBA1405PPBF,IRFPG30PBF,IR710PBF,IRLD024PBF,IRF1407SPBF,IRLL024ZPBF,IRFB9N30APBF,IRLR3410PBF,IRFI740GLCPBF,IRF1405_04	產(chǎn)品購買
IRL2910SPBF_15	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF[International Rectifier]	690.5 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRL2910STRL	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK	Infineon Technologies	688.11 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRL2910STRLPBF	MOSFET MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl	Infineon Technologies	685.27 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRL2910STRLPBF	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK	Infineon Technologies	688.11 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRL2910STRLPBF	IRL2910STRLPBF N-channel MOSFET Transistor; 55 A; 100 V; 3-Pin D2PAK	Infineon	338.21 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRL2910STRLPBF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：55A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：2V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：26mΩ @ 29A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	684.93 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRL2910STRRPBF	MOSFET PLANAR_MOSFETS	Infineon / IR	685.27 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRL2910STRRPBF	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK	Infineon Technologies	688.11 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRL2910STRRPBF		Infineon(英飛凌)	684.93 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買