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IRGP30B60KD-EP
規(guī)格信息:

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

設(shè)計(jì)資源:IRGP30B60KD-EP Saber Model IRGP30B60KD-EP Spice Model

標(biāo)準(zhǔn)包裝:25

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:IGBT - 單路

系列:-

包裝:散裝

IGBT 類型:NPT

電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V

電流 - 集電極(Ic)(最大值):60A

脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A

不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.35V @ 15V,30A

功率 - 最大值:304W

開關(guān)能量:350µJ(開),825µJ(關(guān))

輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷:102nC

25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:46ns/185ns

測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr):125ns

封裝/外殼:TO-247-3

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD

其它名稱:*IRGP30B60KD-EPIRGP30B60KDEP

介紹圖IRGP30B60KD-EP
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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IRGP30B60KD-EPBFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)276.23 Kbytes共13頁IRGP30B60KD-EPBF的PDF文件地址 IRGP30B60KD-EPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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