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典型關(guān)斷延遲時(shí)間21 ns
典型接通延遲時(shí)間7.8 ns
典型柵極電荷@Vgs23 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds590 pF V @ 25
安裝類型表面貼裝
寬度9.65mm
封裝類型D2PAK
尺寸10.67 x 9.65 x 4.83mm
引腳數(shù)目3
最低工作溫度-55 °C
最大功率耗散44000 mW
最大柵源電壓±20 V
最大漏源電壓60 V
最大漏源電阻值0.06
最大連續(xù)漏極電流17 A
最高工作溫度+175 °C
每片芯片元件數(shù)目1
類別功率 MOSFET
通道模式增強(qiáng)
通道類型N
配置單
長度10.67mm
高度4.83mm
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