設計資源：IRFR3412PBF Saber Model IRFR3412PBF Spice Model
標準包裝：75
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：48A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：25 毫歐 @ 29A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：89nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：3430pF @ 25V
功率 - 最大值：140W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
供應商器件封裝：I-Pak
其它名稱：*IRFU3412PBF