封裝/外殼：D2PAK7P
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：195A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.4 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 150μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：225nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：7437pF @ 25V
功率耗散（最大值）：231W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK（7-Lead）
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：295 A
最大漏源電壓：40 V
最大漏源電阻值：1.4 m0hms
最大柵閾值電壓：3.9V
最小柵閾值電壓：2.2V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：D2PAK (TO-263)
引腳數(shù)目：7+Tab
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：231 W
典型接通延遲時間：18 ns
典型關(guān)斷延遲時間：78 ns
典型輸入電容值@Vds：7437 pF @ 25 V
典型柵極電荷@Vgs：150 nC @ 20 V
系列：HEXFET
每片芯片元件數(shù)目：1
最低工作溫度：-55 °C
寬度：4.83mm
長度：10.54mm
高度：9.65mm
正向跨導(dǎo)：122S
正向二極管電壓：1.3V
尺寸：10.54 x 4.83 x 9.65mm
最高工作溫度：+175 °C
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs