FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：130A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：250nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：7670pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：50V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：7 毫歐 @ 75A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
封裝/外殼：D2PAK
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：130 A
最大漏源電壓：100 V
最大漏源電阻值：7 m0hms
最大柵閾值電壓：4V
最小柵閾值電壓：2V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：D2PAK (TO-263)
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：300000 mW
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+175 °C
每片芯片元件數(shù)目：1
長(zhǎng)度：10.67mm
高度：4.83mm
系列：HEXFET
寬度：9.65mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：170 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：7670 pF@ 50 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：68 ns
典型接通延遲時(shí)間：26 ns
尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs