FET類型：P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：5.1A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：12nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：270pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），25W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：500 毫歐 @ 3.1A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
封裝形式Package：TO-252-3
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：60V
連續(xù)漏極電流ID：5.1A
漏源極導通電阻RDS(ON)：500mOhms
無鉛情況/RoHs：否