產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:HEXFET®
包裝:管件
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):90A(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 90A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 100µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):134nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4610pF @ 25V
功率 - 最大值:140W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝:D-Pak
IRFR7440PBF
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