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IRFR4620
規(guī)格信息：

封裝/外殼：DPAK

Packing Type：TUBE

Moisture Level：1

RDS (on) max：78.0m?

VDS max：200.0V

ID max：17.0A

Package：DPAK (TO-252)

Tj max：175.0°C

QG：25.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.49

Ptot max：144.0W

Polarity：N

Qgd：7.9nC

VGS max：20.0V

Mounting：SMD

RthJC max：1.045K/W

ID (@ TC=25°C) max：24.0A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IRFR4620

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IRFR4620	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.17 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IRFR4620PBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	389.89 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IRFR4620PBF	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF[International Rectifier]	389.89 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IRFR4620PBF_15	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF[International Rectifier]	389.89 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IRFR4620TRLPBF	MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg	Infineon / IR	385.33 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IRFR4620TRLPBF	MOSFET N-CH 200V 24A DPAK	Infineon Technologies	394.12 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IRFR4620TRLPBF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：24A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：200V 柵源極閾值電壓：5V @ 100uA 漏源導(dǎo)通電阻：78mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：144W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	384.30 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IRFR4620TRLPBF	IRFR4620TRLPBF N-channel MOSFET Transistor; 24 A; 200 V; 3+Tab-Pin DPAK	Infineon	384.30 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IRFR4620TRPBF	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1115.48 Kbytes	共7頁	產(chǎn)品購買
IRFR4620TRPBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	389.89 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買