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IRFR3411
規(guī)格信息：

封裝/外殼：DPAK

Packing Type：TUBE

Moisture Level：1

RDS (on) max：44.0m?

VDS max：100.0V

ID max：23.0A

Package：DPAK (TO-252)

Tj max：175.0°C

QG：48.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.41

Ptot max：130.0W

Polarity：N

Qgd：14.0nC

VGS max：20.0V

Mounting：SMD

RthJC max：1.2K/W

ID (@ TC=25°C) max：32.0A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IRFR3411

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IRFR3411	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	226.53 Kbytes	共10頁	IRF7341,IRLR2905,IRF7494,IRL3303,IRL2703S,IRLL2703,IRFIZ24G,IRL3202,IRL3716,IRF7328	產(chǎn)品購買
IRFR3411	HEXFET Power MOSFET	KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]	3660.41 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRFR3411	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.29 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
IRFR3411PBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	226.53 Kbytes	共10頁	IRF7341,IRLR2905,IRF7494,IRL3303,IRL2703S,IRLL2703,IRFIZ24G,IRL3202,IRL3716,IRF7328	產(chǎn)品購買
IRFR3411PBF	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance	KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]	3838.1 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRFR3411PBF	HEXFET Power MOSFET	KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]	3660.41 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRFR3411PBF	Advanced Process Technology	IRF[International Rectifier]	293.16 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRFR3411PBF	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1022.62 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
IRFR3411PBF_15	Advanced Process Technology	IRF[International Rectifier]	293.16 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRFR3411TRPBF	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1022.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買