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IRFR2607Z
規(guī)格信息:

設(shè)計(jì)資源:IRFR2607Z Saber Model IRFR2607Z Spice Model

標(biāo)準(zhǔn)包裝:75

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:HEXFET®

包裝:管件

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss):75V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):51nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1440pF @ 25V

功率 - 最大值:110W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:D-Pak

其它名稱:*IRFR2607Z

介紹圖IRFR2607Z
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IRFR2607ZPBFAdvanced Process Technology IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)342.0 Kbytes共11頁IRFR2607ZPBF的PDF文件地址 IRFR2607ZPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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IRFR2607ZTRPBFMOSFET TRENCH_MOSFETSInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)337.57 Kbytes共11頁IRFR2607ZTRPBF的PDF文件地址 IRFR2607ZTRPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRFR2607ZTRPBFMOSFET N-CH 75V 42A DPAKInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)345.60 Kbytes共12頁IRFR2607ZTRPBF的PDF文件地址 IRFR2607ZTRPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRFR2607ZTRPBF連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):42A 漏源電壓(Vdss):75V 柵源極閾值電壓:4V @ 50?A 漏源導(dǎo)通電阻:22mΩ @ 30A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W (Tc) 類型:N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)336.41 Kbytes共11頁IRFR2607ZTRPBF的PDF文件地址 IRFR2607ZTRPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRFR2607ZTRPBFMOSFET; 75V; 45A; 22 MOHM; 34 NC QG; D-PAKInfineonInfineon的LOGO-天天IC網(wǎng)345.60 Kbytes共12頁IRFR2607ZTRPBF的PDF文件地址 IRFR2607ZTRPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRFR2607ZTRRAdvanced Process Technology KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]的LOGO-天天IC網(wǎng)4073.73 Kbytes共11頁IRFR2607ZTRR的PDF文件地址 IRFR2607ZTRR的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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