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制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:否

商標(biāo):Vishay / Siliconix

Id-連續(xù)漏極電流:4.8 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:800 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:13 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:22 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:19 ns

典型接通延遲時(shí)間:7.2 ns