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IRFR12N25D
規(guī)格信息：

設(shè)計資源：IRFR12N25D Saber Model IRFR12N25D Spice Model

標(biāo)準(zhǔn)包裝：75

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：HEXFET®

包裝：管件

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）：250V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：14A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：260 毫歐 @ 8.4A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：35nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：810pF @ 25V

功率 - 最大值：144W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：D-Pak

其它名稱：*IRFR12N25D

IRFR12N25D

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IRFR12N25D	SMPS MOSFET	IRF[International Rectifier]	115.42 Kbytes	共10頁	IRF730APBF,FDH15N50,IRFP22N60K,IRFL4315,IRFR3412,IRLR3714,FDH27N50,IRFS9N60A,IRFP21N60L	產(chǎn)品購買
IRFR12N25DCPBF	MOSFET N-CH 250V 14A DPAK	Infineon Technologies	27.16 Kbytes	共3頁		產(chǎn)品購買
IRFR12N25DCTRLP	MOSFET N-CH 250V 14A DPAK	Infineon Technologies	104.81 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRFR12N25DCTRRP	MOSFET N-CH 250V 14A DPAK	Infineon Technologies	104.81 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRFR12N25DPBF	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)max = 0.26?? , ID = 14A )	IRF[International Rectifier]	230.13 Kbytes	共11頁	IRF7457PBF,IRFP22N50APBF,IRFR3709ZPBF,IRFD224PBF,IRF7831PBF,IRLR3714PBF,IRLR7833PBF,IRF1104PBF,IRFR9120NPBF,IRF630PBF	產(chǎn)品購買
IRFR12N25DPBF	SMPS MOSFET	KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]	3846.64 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRFR12N25DTRLP	MOSFET N-CH 250V 14A DPAK	Infineon Technologies	225.51 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRFR12N25DTRPBF	MOSFET N-CH 250V 14A DPAK	Infineon Technologies	225.51 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRFR12N25DTRRP	MOSFET N-CH 250V 14A DPAK	Infineon Technologies	225.51 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買