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IRFR110
規(guī)格信息:

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.3A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.3nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):180pF @ 25V

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),25W(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):540 毫歐 @ 2.6A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝:D-Pak

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IRFR110
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IRFR110Power MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)1370.78 Kbytes共8頁IRFR110的PDF文件地址RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06 IRFR110的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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IRFR110TRPBFN-Channel 100 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)979.63 Kbytes共7頁IRFR110TRPBF的PDF文件地址 IRFR110TRPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRFR110TRRMOSFET N-CH 100V 4.3A DPAKVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)777.29 Kbytes共13頁IRFR110TRR的PDF文件地址 IRFR110TRR的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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