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IRFR014
規(guī)格信息:

FET 類(lèi)型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7.7A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):11nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):300pF @ 25V

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),25W(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 4.6A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類(lèi)型:表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝:D-Pak

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs

介紹圖IRFR014
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFR014Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)172.07 Kbytes共6頁(yè)IRFR014的PDF文件地址STT2PF60L,IRF520N,MTSF2P03HD,STW13NK100Z,STF12PF06,STB75NF75,STD12NF06L,STD38NF03L,STP30NE03L,STB70NF03L-1 IRFR014的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFR014N-CHANNEL POWER MOSFET SAMSUNG[Samsung semiconductor]SAMSUNG[Samsung semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)287.41 Kbytes共5頁(yè)IRFR014的PDF文件地址MRF154,STB160NF02L,STB30NS15,STB60NF06,STW13NK80Z,STB80NF03L-04,SSM01N60J,STE180NE10,STN3NF06,STP36NF03L IRFR014的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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IRFR014TRRMOSFET N-CH 60V 7.7A DPAKVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)886.94 Kbytes共13頁(yè)IRFR014TRR的PDF文件地址 IRFR014TRR的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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