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制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

Id-連續(xù)漏極電流:14 A

Rds On-漏源導通電阻:400 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:150 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:190 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

系列:IRFP

晶體管類型:1 N-Channel

商標:Vishay / Siliconix

正向跨導 - 最小值:9.3 S

下降時間:44 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:47 ns

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:92 ns

典型接通延遲時間:17 ns

單位重量:38 g