包裝:3Micro
通道模式:Enhancement
最大漏源電壓:20 V
最大連續(xù)漏極電流:4.2 A
RDS -于:[email protected] mOhm
最大門源電壓:±12 V
典型導通延遲時間:7.5 ns
典型上升時間:10 ns
典型關(guān)閉延遲時間:54 ns
典型下降時間:26 ns
工作溫度:-55 to 150 °C
安裝:Surface Mount
IRFIRLML2502TRPBF
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| IRFIRLML2502TRPBF | isc N-Channel MOSFET Transistor | ISC[Inchange Semiconductor Company Limited] | 319.08 Kbytes | 共2頁 | 產(chǎn)品購買 |
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