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制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:4.7 A

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:800 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:42 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

封裝:Tube

商標(biāo):Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:10 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:17 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

典型關(guān)閉延遲時間:26 ns

典型接通延遲時間:13 ns