產(chǎn)品培訓模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設計資源：IRFH5302TR2PBF Saber Model IRFH5302TR2PBF Spice Model
標準包裝：1
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：32A（Ta），100A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.1 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 100µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：76nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：4400pF @ 15V
功率 - 最大值：3.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應商器件封裝：PQFN（5x6）單芯片焊盤
其它名稱：IRFH5302TR2PBFCT