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產(chǎn)品種類MOSFET

晶體管極性P-Channel

汲極/源極擊穿電壓100 V

閘/源擊穿電壓+/- 20 V

漏極連續(xù)電流19 A

電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）200 mOhms

配置Single

最大工作溫度+ 175 C

安裝風(fēng)格SMD/SMT

封裝 / 箱體D2PAK

封裝Reel

下降時(shí)間57 ns

最小工作溫度- 55 C

功率耗散150000 mW

上升時(shí)間73 ns

工廠包裝數(shù)量800

典型關(guān)閉延遲時(shí)間34 ns