不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：20nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：410pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），50W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：1.8 歐姆 @ 2A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：400V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：3.3A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs