產品培訓模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設計資源：IRF6100 Saber Model IRF6100 Spice Model
標準包裝：6,000
類別：分立半導體產品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：5.1A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：65 毫歐 @ 5.1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：21nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：1230pF @ 15V
功率 - 最大值：2.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：4-FlipFet?
供應商器件封裝：4-FlipFet?
其它名稱：IRF6100TR