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封裝/外殼：TO-204AA

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：500V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：12A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：500 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：120nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2700pF @ 25V

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

系列：HEXFET?

FET類型：N 溝道

DraintoSourceVoltage(Vdss)：500V

電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：12A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：120nC @ 10V

不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2700pF @ 25V

不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：500 毫歐 @ 12A，10V

供應(yīng)商器件封裝：TO-204AA（TO-3）

無鉛情況/RoHs：否