制造商:International Rectifier
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:25 A
Vds-漏源極擊穿電壓:400 V
Rds On-漏源導通電阻:230 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:300 W
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-204AE-3
商標:International Rectifier
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:99 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:140 ns
典型關閉延遲時間:120 ns
典型接通延遲時間:33 ns
IRF360
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關型號 | 第一頁預覽 | 產(chǎn)品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF360 | TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=25A) | IRF[International Rectifier] | 139.76 Kbytes | 共7頁 | PHN405,SD2900,MRF6S23140HR3,MRF6S9160HR3,2N7000,BSN254,PMBF5484,SD2902,SHD225701,2N7002 | 產(chǎn)品購買 | |||
| IRF360 | isc N-Channel MOSFET Transistor | ISC[Inchange Semiconductor Company Limited] | 47.5 Kbytes | 共2頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| IRF360 | N-Channel MOSFET Transistor | NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.] | 137.12 Kbytes | 共2頁 | 產(chǎn)品購買 |
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