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IRF2807ZSTRL
規(guī)格信息:

產(chǎn)品培訓模塊:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

標準包裝:800

類別:分立半導體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:-

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓(Vdss):75V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.4 毫歐 @ 53A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3270pF @ 25V

功率 - 最大值:170W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝:D2PAK

介紹圖IRF2807ZSTRL
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
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IRF2807ZSTRLPBFMOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nCInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)400.86 Kbytes共12頁IRF2807ZSTRLPBF的PDF文件地址 IRF2807ZSTRLPBF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IRF2807ZSTRLPBFMOSFET N-CH 75V 75A D2PAKInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)408.69 Kbytes共13頁IRF2807ZSTRLPBF的PDF文件地址 IRF2807ZSTRLPBF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IRF2807ZSTRLPBF連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):75A(Tc) 漏源電壓(Vdss):75V 柵源極閾值電壓:4V @ 250uA 漏源導通電阻:9.4mΩ @ 53A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):170W(Tc) 類型:N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)399.49 Kbytes共12頁IRF2807ZSTRLPBF的PDF文件地址 IRF2807ZSTRLPBF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IRF2807ZSTRLPBFMOSFET, Power,N-Ch,VDSS 75V,RDS(ON) 7.5 Milliohms,ID 75A,D2Pak,PD 170W,VGS+/-20VInfineonInfineon的LOGO-天天IC網(wǎng)408.69 Kbytes共13頁IRF2807ZSTRLPBF的PDF文件地址 IRF2807ZSTRLPBF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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