制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:D2PAK-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:90 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:14 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:162 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:417 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:Reel
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值:96 S
下降時(shí)間:37 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:58 ns
工廠包裝數(shù)量:800
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:67 ns
典型接通延遲時(shí)間:21 ns
零件號(hào)別名:SP001593688