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典型關斷延遲時間150 ns

典型接通延遲時間11 ns

典型柵極電荷@Vgs160 nC V @ 10

典型輸入電容值@Vds5600 pF V @ 25

安裝類型表面貼裝

寬度9.65mm

封裝類型D2PAK

尺寸10.67 x 9.65 x 4.83mm

引腳數(shù)目3

最低工作溫度-55 °C

最大功率耗散3800 mW

最大柵源電壓±20 V

最大漏源電壓75 V

最大漏源電阻值0.008

最大連續(xù)漏極電流100 A

最高工作溫度+175 °C

每片芯片元件數(shù)目1

類別功率 MOSFET

通道模式增強

通道類型N

配置單

長度10.67mm

高度4.83mm